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DISCO wafer cutting machine DFL7341

DISCO 웨이퍼 커팅기 DFL7341

고정밀 절단 : DFL7341은 레이저 비투과 절단 기술을 사용하여 실리콘 웨이퍼 내부에만 변형된 층을 형성합니다.

세부

DISCO DFL7341 레이저 투명 절단기는 다음과 같은 장점과 사양을 가지고 있습니다:

장점 낮은 손상, 고정밀 절단: DFL7341은 레이저 보이지 않는 절단 기술을 사용하여 실리콘 웨이퍼 내부에만 변형된 층을 형성하여 가공 파편의 발생을 억제하고 입자 요구 사항이 높은 샘플에 적합합니다. 절단 홈 폭은 매우 좁을 수 있어 절단 경로를 줄이고 웨이퍼 손상을 줄이는 데 도움이 됩니다.

건식가공기술 : 장비는 건식가공기술, 건조, 세척을 사용하며 피로저항성이 낮은 물체의 가공에 적합합니다.

효율적인 생산: DFL7341은 LED 사파이어, 리튬 탄탈레이트, 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS)과 같은 높은 생산 요구 사항이 있는 애플리케이션에 적합합니다. Stealth Dicing™ 공정을 통해 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN)과 같은 취성 소재를 낭비 없이 절단할 수 있습니다.

광범위한 적용 범위: 본 장비는 사파이어, 실리콘 카바이드, 이온화 ​​갈륨(GaAs) 등 다양한 소재에 적합하며, 고품질의 처리 결과를 제공할 수 있습니다.

사양 주요 구성품: 카세트 리프트, 컨베이어, 조준 시스템, 처리 시스템, 운영 체제, 상태 표시기, 레이저 엔진, 냉각기 등

정확도 지표: 작업 디스크 정확도: X축 축 정확도 ≤0.002mm/210mm, Y축 축 정확도 ≤0.003mm/210mm, Y축 위치 정확도 ≤0.002mm/5mm, Z축 위치 정확도 ≤0.001mm

절삭 속도: X축 절삭 속도 1-1000mm/s, Y축 치수 분해능 0.1미크론, 이동 속도 200mm/s, Z축 치수 분해능 0.1미크론, 이동 50mm/s

적용 가능한 재료 및 두께: 순수 실리콘 웨이퍼 밀리미터 절단만 지원, 실리콘 웨이퍼 두께는 0.1-0.7, 입자 크기는 0.5mm 이상입니다. 다이싱 스크린 윤곽은 약 1마이크론이며 웨이퍼 표면과 뒷면에 돔형 가장자리와 불편함이 없습니다.

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