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DISCO wafer cutting machine DFL7341

Macchina per il taglio delle cialde DISCO DFL7341

taglio ad alta precisione: DFL7341 utilizza la tecnologia di taglio laser invisibile per formare uno strato modificato solo all'interno del wafer di silicio

Dettagli

La macchina per il taglio laser invisibile DISCO DFL7341 presenta i seguenti vantaggi e specifiche:

Vantaggi Danni ridotti, taglio ad alta precisione: DFL7341 utilizza la tecnologia di taglio laser invisibile per formare uno strato modificato solo all'interno del wafer di silicio, sopprimendo la generazione di detriti di lavorazione ed è adatto per campioni con elevati requisiti di particelle. La larghezza della scanalatura di taglio può essere molto stretta, il che aiuta a ridurre il percorso di taglio e a ridurre i danni al wafer

Tecnologia di lavorazione a secco: l'attrezzatura utilizza la tecnologia di lavorazione a secco, essiccazione e pulizia ed è adatta per la lavorazione di oggetti con scarsa resistenza alla fatica

Produzione efficiente: DFL7341 è adatto per applicazioni con elevati requisiti di produzione come LED zaffiro, litio tantalato e sistemi microelettromeccanici (MEMS). Il suo processo Stealth Dicing™ consente di tagliare materiali fragili come carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN) senza sprechi.

Ampia gamma di applicazioni: l'attrezzatura è adatta a una vasta gamma di materiali, tra cui zaffiro, carburo di silicio, gallio ionizzato (GaAs), ecc., e può fornire risultati di lavorazione di alta qualità.

Specifiche Componenti principali: tra cui sollevatore a cassetta, trasportatore, sistema di puntamento, sistema di elaborazione, sistema operativo, indicatore di stato, motore laser, refrigeratore, ecc.

Indicatori di precisione: Precisione del disco di lavoro: Precisione assiale dell'asse X ≤0,002 mm/210 mm, Precisione assiale dell'asse Y ≤0,003 mm/210 mm, Precisione di posizionamento dell'asse Y ≤0,002 mm/5 mm, Precisione di posizionamento dell'asse Z ≤0,001 mm

Velocità di taglio: velocità di taglio asse X 1-1000 mm/s, risoluzione dimensionale asse Y 0,1 micron, velocità di spostamento 200 mm/s, risoluzione dimensionale asse Z 0,1 micron, spostamento 50 mm/s

Materiali e spessori applicabili: supporta solo il taglio millimetrico di wafer di silicio puro, lo spessore del wafer di silicio è 0,1-0,7, la granulometria è superiore a 0,5 mm. Il contorno dello schermo di taglio è di circa un micron e non vi è alcun bordo a cupola e disagio sulla superficie e sul retro del wafer

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