A máquina de corte invisível a laser DISCO DFL7341 tem as seguintes vantagens e especificações:
Vantagens Baixo dano, corte de alta precisão: O DFL7341 usa tecnologia de corte invisível a laser para formar uma camada modificada somente dentro do wafer de silício, suprimindo a geração de detritos de processamento, e é adequado para amostras com altos requisitos de partículas. A largura da ranhura de corte pode ser muito estreita, o que ajuda a reduzir o caminho de corte e reduzir os danos ao wafer
Tecnologia de processamento a seco: O equipamento utiliza tecnologia de processamento a seco, secagem e limpeza, e é adequado para processar objetos com baixa resistência à fadiga
Produção eficiente: DFL7341 é adequado para aplicações com altos requisitos de produção, como safira LED, tantalato de lítio e sistemas microeletromecânicos (MEMS). Seu processo Stealth Dicing™ permite que materiais frágeis, como carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN), sejam cortados sem desperdício.
Ampla gama de aplicações: O equipamento é adequado para uma variedade de materiais, incluindo safira, carboneto de silício, gálio ionizado (GaAs), etc., e pode fornecer resultados de processamento de alta qualidade.
Especificações Componentes principais: Incluindo elevador de cassete, transportador, sistema de mira, sistema de processamento, sistema operacional, indicador de status, motor a laser, resfriador, etc.
Indicadores de precisão: Precisão do disco de trabalho: Precisão axial do eixo X ≤0,002 mm/210 mm, precisão axial do eixo Y ≤0,003 mm/210 mm, precisão de posicionamento do eixo Y ≤0,002 mm/5 mm, precisão de posicionamento do eixo Z ≤0,001 mm
Velocidade de corte: velocidade de corte do eixo X 1-1000 mm/s, resolução dimensional do eixo Y 0,1 mícron, velocidade de movimento 200 mm/s, resolução dimensional do eixo Z 0,1 mícron, movimento 50 mm/s
Materiais e espessura aplicáveis: Suporta apenas corte de milímetros de wafer de silício puro, a espessura do wafer de silício é de 0,1-0,7, o tamanho do grão é maior que 0,5 mm. O contorno da tela de corte é de cerca de um mícron e não há borda de domo e desconforto na superfície e na parte de trás do wafer